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NCE6080有哪些MOS管品牌型号可以替代-MOS规格书、参数等-KIA MOS管
NCE6080K匹配KIA产品3306，NCE6080K匹配KIA产品3306，KIA MOS管3306共有A和B两个规格书。下文会介绍3306和NCE6080K两个MOS管具体参数、封装与规格书等。KIA半导体一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟...www.kiaic.com/article/detail/1705.html 2019-06-13
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mos引脚图说明-mos引脚是什么及引脚顺序-如何判断mos引脚好坏-KIA MOS管
mos引脚图说明，三个引脚G、S、D是什么及含义：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极；N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部M...www.kiaic.com/article/detail/1704.html 2019-06-13
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陕西 互联网体育产业如何做好引流-KIA MOS管
陕西 互联网体育，成都乐动信息技术有限公司（咕咚）副总裁刘渝龙认为，“体育+互联网”创业领域同样面临大量资金汇聚到少量优质项目中的趋势，资本将流向各垂直领域中最优秀的少量项目。因此，体育类手机应用项目在2018年将面临“生死时速”考验，大量尚未建立...www.kiaic.com/article/detail/1703.html 2019-06-12
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新产品上线 KNX6303A 12A/30V规格书/参数/封装/价格-KIA MOS管
KIA半导体MOS管 6303产品特点：Vds=30VRDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12ARDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A先进的沟道工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计完全特征雪崩电压和电流www.kiaic.com/article/detail/1702.html 2019-06-12
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mos管直流特性与导通特性-JFET与MOS管直流特性分析比较-KIA MOS管
mos管直流特性，场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JEFT)和绝缘栅场效应管(MOSFET)，在分析比较它们的直流特性之前，首先对它们的结构和原理作简单的比较。JFET按导电沟道可分为N沟...www.kiaic.com/article/detail/1701.html 2019-06-12
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35A/60V KNX8606 低压MOS管原厂供货-产品资料在线预览-KIA MOS管
8606是高密度沟槽N型MOSFETS，具有优良的RDSON性能。和栅极充电为大多数同步降压转换器的应用。8606满足RoHS标准和绿色产品要求，100％的安全评价保证充分的功能可靠性。KNX8606 35A/60V产品参数：产品型号：KIA8606A工作方式：35A/60V漏源极电压：60V栅源电压...www.kiaic.com/article/detail/1700.html 2019-06-11
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结场效应管结构与符号-结场效应管测量步骤与方法-KIA MOS管
结场效应管，JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N...www.kiaic.com/article/detail/1699.html 2019-06-11
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未来晶圆发展应用与硅晶圆制造步骤-晶圆制造到底难在哪里-KIA MOS管
晶圆发展晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯...www.kiaic.com/article/detail/1698.html 2019-06-11
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KNX3206 PDF中文资料下载-原厂供货稳定 免费送样-KIA MOS管
MOS管KNX3206A 110A/60V产品主要参数：产品型号：KNX3206A工作方式：110A/60V漏至源电压:60V门到门限电压:±20V单脉冲雪崩能:288MJ接头和储存温度范围:-55℃至+175℃www.kiaic.com/article/detail/1697.html 2019-06-10
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MOS管检测步骤-大小功率MOS管详细分析与经验总结-KIA MOS管
MOS管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。大小功率MOS管详细分析及经验总结www.kiaic.com/article/detail/1696.html 2019-06-10
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三极管工作状态-三极管开关电路工作原理-三极管开关作用-KIA MOS管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管开关电路工作原理解析，下面是三极管开关电路工作原理，图一所示是NPN三极管的 共射极电路，...www.kiaic.com/article/detail/1695.html 2019-06-06
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如何区分场效应管的三个极-场效应管极性判断方法详解-KIA MOS管
场效应管极是如何区分的：1.判断栅极G，MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率。2.判断源极S、漏极D将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换...www.kiaic.com/article/detail/1694.html 2019-06-06
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HY3210 100V/120A MOS规格书-HY3210封装-HY3210参数-KIA MOS管
MOS管 3210产品特点：RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V雪崩测试100%可靠、坚固无铅和绿色设备www.kiaic.com/article/detail/1693.html 2019-06-06
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MOS管的作用是什么-P沟道MOS管工作原理及特点详解-KIA MOS管
MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件...www.kiaic.com/article/detail/1692.html 2019-06-05